A februári ISSCC rendezvényen részletezi először fejlesztés alatt álló 10 nanométeres, második generációs FinFET gyártástechnológiáját a Samsung. A felvezető-gyártási eljárás majd az idei év elején elrajtolt 14 nanométert válthatja le.
Forrás:
HWSW
RSS tartalom,
A cikket automatikus RSS rendszer küldte be, amely egy híroldal összes cikkét posztolja a Propeller.hu oldalára. A más híroldalak által feltöltött tartalmak nem feltétlenül tükrözik a szerkesztőség álláspontját, ezek valóságtartalmát nem áll módunkban ellenőrizni.
Új hozzászólás